Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 5 A 4.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9896
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.710.00
Auf Lager
- 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.284 | CHF.719.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9896
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.089Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.089Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 5 A 4.5 W, 8-Pin SI4848BDY-T1-GE3 SO-8
- Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 8.4 W, 8-Pin SI4190BDY-T1-GE3 SO-8
- Vishay SIS5712DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin SIS5712DN-T1-GE3
- Vishay Si4848DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.7 A 3 W, 8-Pin SI4848DY-T1-GE3 SOIC
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3
- Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 6-Pin SI1480BDH-T1-GE3 US
- Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3
- Vishay SIR5712DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 18 A 40 W, 8-Pin SIR5712DP-T1-GE3 PowerPAK