Vishay SIJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 44.4 A 73.5 W, 7-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 279-9936
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | CHF.2.788 | CHF.11.14 |
| 60 - 96 | CHF.2.525 | CHF.10.11 |
| 100 - 236 | CHF.2.252 | CHF.9.01 |
| 240 - 996 | CHF.2.202 | CHF.8.81 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9936
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SIJ | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0207Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 73.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SIJ | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0207Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 73.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Geringerer Spannungsabfall
Geringerer Leitungsverlust
Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)
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