Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 277 A 333 W, 4-Pin 8x8L
- RS Best.-Nr.:
- 279-9937
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH5100E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.5'944.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.2.972 | CHF.5'943.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9937
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH5100E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 277A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIJH | |
| Gehäusegröße | 8x8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00189Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 7.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 277A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIJH | ||
Gehäusegröße 8x8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00189Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 7.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 277 A 333 W, 4-Pin 8x8L
- Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 37 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 299 A 3.3 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ936EL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A, 4-Pin 8x8L
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 118 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ936E Zweifach N-Kanal 4, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V Erweiterung / 100 A, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13.1 A, 8-Pin PowerPAK