Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 279-9962
Herst. Teile-Nr.:: SIRS4302DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 279-9962
Herst. Teile-Nr.:: SIRS4302DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	478A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	SIRS
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.00057Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	208W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	230nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 478A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie SIRS
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00057Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 208W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIRS4302DP-T1-GE3

MOSFET der Serie SIRS von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 478 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4302DP-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Gerät, das für Hochstrom-Leistungsschaltungen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor für die kontrollierte Leitung in Gleichstromstufen und Wandlertopologien und bietet eine erhöhte Temperaturtoleranz für anspruchsvolle Betriebsbedingungen.

Merkmale und Vorteile:

• 478 A kontinuierlicher Ablassstrom für Anwendungen mit hoher Belastung • Niedrige Rds(on) von 0,00057 Ω zur Minimierung von Leitungsverlusten • 30 V Drain-Source-Nennleistung für Niederspannungs-Stromversorgungssysteme • 230 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten • 208 W Verlustleistung zur Bewältigung erheblicher thermischer Lasten • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für DC/DC-Wandler in Stromverteilungseinheiten • Ideal für Motorantriebsstufen in der industriellen Automatisierung • Wird für die synchrone Hochstromgleichrichtung in PSU-Designs verwendet • Geeignet für die Stromschaltung in Batteriemanagementsystemen • Kann zum Schalten von Lasten in Server- und Telekommunikations-Stromregalen verwendet werden

Welche Montageart ist erforderlich und wie viele Stifte sind vorhanden?

Es wird in einem SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer 8-poligen Konfiguration für die Leiterplattenmontage geliefert.

In welchem Umgebungstemperaturbereich kann er zuverlässig arbeiten?

Das Gerät unterstützt den Betrieb von -55 °C bis zu seiner angegebenen maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?

Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden.

Entspricht dieses Gerät den Umweltbeschränkungen für gefährliche Substanzen?

Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Materialien.