Vishay SIRS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9962
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (3000 Stück, auf einer Rolle mit 3000)*
CHF 4'395.00
Nur noch Restbestände
- Letzte 3'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF 1.465 | CHF 4'399.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9962
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 478A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SIRS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00057Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 478A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SIRS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00057Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SIRS von Vishay, 208 W maximale Verlustleistung, 30 V maximale Drain-Source-Spannung - SIRS4302DP-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsschaltumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Integration in stark belegte Stromversorgungsbaugruppen geeignet ist. Die RoHS-konforme Komponente ist für Anwendungen in Industriequalität vorgesehen, bei denen eine thermische Belastbarkeit und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand von 0,00057 Ω für minimale Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 478 A ermöglicht das Schalten hoher Lasten
• Drain-Source-Nennspannung 30 V für Niederspannungsstufen
• Verlustleistung von 208 W zur Unterstützung von Hochleistungsbetrieb
• Gate-Ladung 230 nC für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Toleranz 20 V zur Aufnahme robuster Antriebsspannungen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 478 A ermöglicht das Schalten hoher Lasten
• Drain-Source-Nennspannung 30 V für Niederspannungsstufen
• Verlustleistung von 208 W zur Unterstützung von Hochleistungsbetrieb
• Gate-Ladung 230 nC für vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Toleranz 20 V zur Aufnahme robuster Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Serverracks
• Ideal für parallele MOSFET-Anordnungen in Leistungsmodulen
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Motorantriebsstufen verwendet werden, die einen hohen Spitzenstrom erfordern
• Geeignet für industrielle Schaltregler, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten
• Ideal für parallele MOSFET-Anordnungen in Leistungsmodulen
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Motorantriebsstufen verwendet werden, die einen hohen Spitzenstrom erfordern
• Geeignet für industrielle Schaltregler, die über einen breiten Temperaturbereich arbeiten
Wie verhält es sich bei extremen Umgebungstemperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt Anwendungen, die extremen thermischen Bedingungen ausgesetzt sind.
Welche Befestigungsmethode wird für das Wärmemanagement empfohlen?
Eine Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte mit einer geeigneten Kupferfläche oder Wärmeleitern ist erforderlich, um eine sichere Ableitung von bis zu 208 W zu gewährleisten.
Welche Überlegungen sind für eine schnelle Schaltung erforderlich?
Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 230 nC
müssen Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern, um die gewünschten Anstiegs- und Abfallzeiten ohne übermäßige Verlustleistung zu erreichen.
Ist das Gerät für Qualifizierungsprogramme im Automobilbereich geeignet?
Die Komponente ist nicht als Kfz-kompatibel eingestuft
Eignung für Fahrzeugprogramme sollte anhand spezifischer Qualifikationsanforderungen bewertet werden.
Verwandte Links
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 225 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 227 A 132 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 132 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 334 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 440 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 8 A, 8-Pin SO-8