Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 132 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9967
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.7.756
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.3.878 | CHF.7.76 |
| 50 - 98 | CHF.3.808 | CHF.7.62 |
| 100 - 248 | CHF.3.474 | CHF.6.96 |
| 250 - 998 | CHF.3.414 | CHF.6.84 |
| 1000 + | CHF.3.353 | CHF.6.72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9967
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 198A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SIRS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 588nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 198A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SIRS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 588nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
Leistungs-MOSFET der neuen Generation
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
Verwandte Links
- Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 132 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 227 A 132 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 225 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 440 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 334 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SISD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 198 A 57 W, 8-Pin 1212-F