Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 334 A 240 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9969
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4600DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

334A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIRS

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00115Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Reduziert die schaltbedingte Verlustleistung

Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)

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