Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9963
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 478A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00057Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 230nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 478A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00057Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SIRS von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 478 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIRS4302DP-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Gerät, das für Hochstrom-Leistungsschaltungen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor für die kontrollierte Leitung in Gleichstromstufen und Wandlertopologien und bietet eine erhöhte Temperaturtoleranz für anspruchsvolle Betriebsbedingungen.
Merkmale und Vorteile:
• 478 A kontinuierlicher Ablassstrom für Anwendungen mit hoher Belastung • Niedrige Rds(on) von 0,00057 Ω zur Minimierung von Leitungsverlusten • 30 V Drain-Source-Nennleistung für Niederspannungs-Stromversorgungssysteme • 230 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten • 208 W Verlustleistung zur Bewältigung erheblicher thermischer Lasten • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Stromverteilungseinheiten • Ideal für Motorantriebsstufen in der industriellen Automatisierung • Wird für die synchrone Hochstromgleichrichtung in PSU-Designs verwendet • Geeignet für die Stromschaltung in Batteriemanagementsystemen • Kann zum Schalten von Lasten in Server- und Telekommunikations-Stromregalen verwendet werden
Welche Montageart ist erforderlich und wie viele Stifte sind vorhanden?
Es wird in einem SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer 8-poligen Konfiguration für die Leiterplattenmontage geliefert.
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann er zuverlässig arbeiten?
Das Gerät unterstützt den Betrieb von -55 °C bis zu seiner angegebenen maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden.
Entspricht dieses Gerät den Umweltbeschränkungen für gefährliche Substanzen?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Materialien.
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