Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 478 A 208 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.7.014

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5’990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 48CHF.3.507CHF.7.00
50 - 98CHF.3.224CHF.6.45
100 - 248CHF.2.856CHF.5.71
250 - 998CHF.2.814CHF.5.62
1000 +CHF.2.751CHF.5.50

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9963
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4302DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

478A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SIRS

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00057Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Verwandte Links