onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 354-4985
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6321C
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.0.869
Auf Lager
- 649 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2'762 Einheit(en) mit Versand ab 12. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.0.87 |
| 10 - 99 | CHF.0.74 |
| 100 - 499 | CHF.0.65 |
| 500 - 999 | CHF.0.57 |
| 1000 + | CHF.0.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 354-4985
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC6321C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 680mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.89V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 680mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.89V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Digitale FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 680 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23