Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.8 A 42 W, 3-Pin SPD08P06PGBTMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.6.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 280 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 4’100 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.0.63CHF.6.29
100 - 240CHF.0.599CHF.5.98
250 - 490CHF.0.578CHF.5.73
500 - 990CHF.0.546CHF.5.47
1000 +CHF.0.504CHF.5.09

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
462-3247
Herst. Teile-Nr.:
SPD08P06PGBTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.55V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.5mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 8,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 42 W maximale Verlustleistung - SPD08P06PGBTMA1


Dieser MOSFET ist für Anwendungen konzipiert, die effizientes Schalten und Steuern erfordern. Er kann kontinuierliche Drain-Ströme von 8,8 A und eine Drain-Source-Spannung von 60 V verarbeiten und eignet sich für verschiedene elektronische Schaltungen. Das Gerät arbeitet effektiv in einem breiten Temperaturbereich und verbessert die Leistung in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Enhanced-Mode-Betrieb gewährleistet effiziente Schaltleistung

• Hohe Leistungskapazität für starke elektronische Anwendungen

• Niedriger Rds(on) minimiert Energieverluste während des Betriebs

• Verwendet das DPAK-Gehäuse für effektive Oberflächenmontageanwendungen

Anwendungsbereich


• Anwendbar in elektronischen Fahrzeugsteuerungen für hohe Zuverlässigkeit

• Ideal für Energiemanagementsysteme in Industrieanlagen

• Geeignet für Batteriemanagementsysteme in Elektrofahrzeugen

• Einsatz in der Wechselrichtertechnologie für erneuerbare Energiesysteme

• Verwendung in elektronischen Schaltgeräten für Verbraucherprodukte

Was sind die Auswirkungen der Verwendung einer P-Kanal-Konfiguration?


P-Kanal-Konfigurationen erleichtern die Integration in High-Side-Schalteranwendungen und ermöglichen eine bequeme Steuerung innerhalb von Schaltungen.

Wie wirkt sich die Wärmeleistung auf die Langlebigkeit aus?


Die Fähigkeit, bei bis zu +175°C zu arbeiten, erhöht die Zuverlässigkeit und trägt zu einer längeren Lebensdauer in rauen Umgebungen bei.

Welche Bedeutung hat die Qualifikation AEC-Q101?


Diese Qualifikation bestätigt die Eignung für den Einsatz in der Automobilindustrie und die Einhaltung strenger Zuverlässigkeits- und Sicherheitsstandards.

Kann er in Verbindung mit anderen MOSFETs verwendet werden?


Ja, es kann mit anderen Komponenten integriert werden, um komplementäre Schaltungen für effiziente Multischaltanwendungen zu schaffen.

Welche Faktoren beeinflussen die Verlustleistung in diesem Gerät?


Zu den Schlüsselfaktoren gehören die Umgebungstemperatur, der Drainstrom und der Arbeitszyklus während des Betriebs, die sich alle auf die thermische Gesamtleistung auswirken.

Verwandte Links