Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8.8 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 462-3247
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD08P06PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 462-3247
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD08P06PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.55V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.55V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 8,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 42 W maximale Verlustleistung - SPD08P06PGBTMA1
Dieser MOSFET ist für Anwendungen konzipiert, die effizientes Schalten und Steuern erfordern. Er kann kontinuierliche Drain-Ströme von 8,8 A und eine Drain-Source-Spannung von 60 V verarbeiten und eignet sich für verschiedene elektronische Schaltungen. Das Gerät arbeitet effektiv in einem breiten Temperaturbereich und verbessert die Leistung in schwierigen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Enhanced-Mode-Betrieb gewährleistet effiziente Schaltleistung
• Hohe Leistungskapazität für starke elektronische Anwendungen
• Niedriger Rds(on) minimiert Energieverluste während des Betriebs
• Verwendet das DPAK-Gehäuse für effektive Oberflächenmontageanwendungen
Anwendungsbereich
• Anwendbar in elektronischen Fahrzeugsteuerungen für hohe Zuverlässigkeit
• Ideal für Energiemanagementsysteme in Industrieanlagen
• Geeignet für Batteriemanagementsysteme in Elektrofahrzeugen
• Einsatz in der Wechselrichtertechnologie für erneuerbare Energiesysteme
• Verwendung in elektronischen Schaltgeräten für Verbraucherprodukte
Was sind die Auswirkungen der Verwendung einer P-Kanal-Konfiguration?
P-Kanal-Konfigurationen erleichtern die Integration in High-Side-Schalteranwendungen und ermöglichen eine bequeme Steuerung innerhalb von Schaltungen.
Wie wirkt sich die Wärmeleistung auf die Langlebigkeit aus?
Die Fähigkeit, bei bis zu +175°C zu arbeiten, erhöht die Zuverlässigkeit und trägt zu einer längeren Lebensdauer in rauen Umgebungen bei.
Welche Bedeutung hat die Qualifikation AEC-Q101?
Diese Qualifikation bestätigt die Eignung für den Einsatz in der Automobilindustrie und die Einhaltung strenger Zuverlässigkeits- und Sicherheitsstandards.
Kann er in Verbindung mit anderen MOSFETs verwendet werden?
Ja, es kann mit anderen Komponenten integriert werden, um komplementäre Schaltungen für effiziente Multischaltanwendungen zu schaffen.
Welche Faktoren beeinflussen die Verlustleistung in diesem Gerät?
Zu den Schlüsselfaktoren gehören die Umgebungstemperatur, der Drainstrom und der Arbeitszyklus während des Betriebs, die sich alle auf die thermische Gesamtleistung auswirken.
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