Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 541-0755
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-282
Herst. Teile-Nr.:: IRF530NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 541-0755
Distrelec-Artikelnummer:: 303-41-282
Herst. Teile-Nr.:: IRF530NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	17A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	90mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	70W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.54mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.69 mm
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 70W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.54mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.69 mm
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 70W maximale Verlustleistung - IRF530NPBF

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für effiziente Schaltanwendungen konzipiert und bietet eine robuste Leistung in verschiedenen Umgebungen. Durch seine N-Kanal-Anreicherungsmodus-Konfiguration eignet er sich für zahlreiche elektronische und elektrische Anwendungen, bei denen ein effektives Strommanagement entscheidend ist. Die Schlüsselspezifikationen machen ihn zu einer wichtigen Komponente in modernen Automatisierungs- und Steuerungssystemen.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Einschaltwiderstand von 90 mΩ verbessert die Effizienz

• Maximale Drain-Stromaufnahme von 17A

• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit reduziert Energieverluste

• Robustes Design verbessert die Zuverlässigkeit unter Last

• Vielseitiges TO-220AB-Gehäuse erleichtert die Integration

Anwendungsbereich

• Energiemanagement in der industriellen Automatisierung

• Integration in Motorsteuerungsschaltungen

• Einsatz in Stromversorgungssystemen zur Spannungsregelung

• Anwendung in hocheffizienten Umrichtern und Wechselrichtern

• Geeignet für Unterhaltungselektronik, die eine dynamische Lastunterstützung erfordert

Gibt es eine bestimmte Gate-Spannung, die für einen optimalen Betrieb erforderlich ist?

Der Baustein arbeitet effektiv mit einem Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V und gewährleistet eine zuverlässige Schaltfunktion.

Wie hoch ist der maximale Impulsabflussstrom dieses Geräts?

Der maximale gepulste Drain-Strom ist auf 60 A ausgelegt, so dass transiente Bedingungen ohne Beeinträchtigung der Geräteintegrität möglich sind.

Wie wirken sich die Werte des Wärmewiderstands auf die Leistung aus?

Mit einem Wärmewiderstand von 2,15°C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse ist eine effektive Wärmeableitung entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei hoher Last.

Welche Überlegungen sollte ich beim Löten dieses Bauteils anstellen?

Die empfohlene Löttemperatur beträgt 300°C für eine Dauer von 10 Sekunden. Es ist wichtig, sich an diese Richtlinie zu halten, um Schäden zu vermeiden.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.