Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.20.16

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
  • Zusätzlich 2’620 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80CHF.1.008CHF.20.22
100 - 180CHF.0.777CHF.15.60
200 - 480CHF.0.725CHF.14.57
500 - 980CHF.0.693CHF.13.78
1000 +CHF.0.63CHF.12.54

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
831-2837
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-446
Herst. Teile-Nr.:
IRF530NSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Recently viewed