Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3992
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-548
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.875
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.575 | CHF.7.88 |
| 50 - 120 | CHF.1.418 | CHF.7.08 |
| 125 - 245 | CHF.1.323 | CHF.6.62 |
| 250 - 495 | CHF.1.229 | CHF.6.15 |
| 500 + | CHF.1.145 | CHF.5.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3992
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-548
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
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