Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3991
Herst. Teile-Nr.:: IRL530NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3991
Herst. Teile-Nr.:: IRL530NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	17A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	3.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22.7nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 3.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.7nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRL530NSTRLPBF

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263

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