Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3095
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3095
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Bleifrei
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