Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 218-3095
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 218-3095
Herst. Teile-Nr.:: IRF3710STRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	57A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	23mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	86.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3.8W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Länge	10.67mm
	Breite	9.65 mm
	Normen/Zulassungen	EIA 418
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3.8W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Länge 10.67mm
	Breite 9.65 mm
	Normen/Zulassungen EIA 418
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF3710STRLPBF

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Dynamische dv/dt-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Bleifrei

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263

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