Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 8.5 A 167 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
541-1938
Herst. Teile-Nr.:
IRFB9N65APBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

930mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor


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