Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 8.5 A 167 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
541-1938
Herst. Teile-Nr.:
IRFB9N65APBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8.5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

167 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

930 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-30 V, +30 V

Maximale Betriebstemperatur

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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