Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 40 V / 8 A 4 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 790-419
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
CHF.7.37
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.737 | CHF.7.37 |
| 100 - 490 | CHF.0.455 | CHF.4.57 |
| 500 - 990 | CHF.0.354 | CHF.3.54 |
| 1000 + | CHF.0.242 | CHF.2.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-419
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Dual-N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Dual-N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Automobilanwendungen entwickelt und bietet effiziente Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Er verfügt über eine doppelte N-Kanal-Funktionalität und ist ideal für verschiedene elektronische Steuerungssysteme.
Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V für zuverlässige Leistung
AEC Q101-qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen zu gewährleisten
Entwickelt für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 8 A, unterstützt hohe Leistungsanforderungen
Materialkategorisierung gemäß Industriestandards für Umweltsicherheit
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal, SMD Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / 21 A 35 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay SQ4946CEY Dual-N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 7 A 4.8 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 23.5 A 42 W, 8-Pin SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Kfz-MOSFET MOSFET 200 V / 25 A 150 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Kfz-MOSFET MOSFET 100 V / 58 A 115 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay SQ4940CEY Zweifach N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 8 A 4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 5 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / -4.4 A 3.3 W, 8-Pin SO-8