Vishay IRFBG N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.4 A 54 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 542-9563
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-23-892
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBG20PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 2.13
Auf Lager
- Zusätzlich 27 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
- Zusätzlich 285 Einheit(en) mit Versand ab 30. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 2.13 |
| 10 - 49 | CHF 1.78 |
| 50 - 99 | CHF 1.70 |
| 100 - 249 | CHF 1.60 |
| 250 + | CHF 1.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 542-9563
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-23-892
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBG20PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFBG | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFBG | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFBG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.4 A 54 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 1.8 A 54 W, 3-Pin TO-220
- ROHM R6013VNX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 54 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.5 A 40 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.5 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 30 W, 3-Pin TO-220