ROHM R6013VNX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 54 W, 3-Pin R6013VNXC7G TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
R6013VNXC7G
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R6013VNX

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

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