Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 100 V / 10 A 2 W, 3-Pin PW Form
- RS Best.-Nr.:
- 601-2116
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3669(Q)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 601-2116
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3669(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Feldeffekttransistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PW Form | |
| Serie | 2SK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Feldeffekttransistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PW Form | ||
Serie 2SK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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