Toshiba 2SK N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 100 V / 10 A 2 W, 3-Pin PW Form

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RS Best.-Nr.:
601-2116
Herst. Teile-Nr.:
2SK3669(Q)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Feldeffekttransistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PW Form

Serie

2SK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.5mm

Breite

5.5mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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