onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.6.565

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 50 Einheit(en) mit Versand ab 06. Februar 2026
  • Zusätzlich 3’185 Einheit(en) mit Versand ab 09. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.313CHF.6.55
50 - 95CHF.1.134CHF.5.65
100 - 495CHF.0.977CHF.4.90
500 - 995CHF.0.861CHF.4.31
1000 +CHF.0.788CHF.3.92

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0747
Distrelec-Artikelnummer:
304-43-728
Herst. Teile-Nr.:
FDS8949
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

4 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links