STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*

CHF 6.67

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 9'195 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 1.333CHF 6.65
50 - 245CHF 1.172CHF 5.85
250 - 495CHF 1.04CHF 5.22
500 +CHF 0.899CHF 4.48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-5103
Herst. Teile-Nr.:
STD35NF06LT4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Gate-Source-spannung max Vgs

-15V, +15V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.