STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin TO-252

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687-5103
Herst. Teile-Nr.:
STD35NF06LT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

-15V, +15V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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