STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
STB4NK60ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

SuperMESH-Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD97

Breite

9.35mm

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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