STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 687-5190
- Herst. Teile-Nr.:
- STB4NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.87
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 05. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.374 | CHF.11.88 |
| 50 - 245 | CHF.1.394 | CHF.6.97 |
| 250 - 495 | CHF.0.98 | CHF.4.92 |
| 500 + | CHF.0.768 | CHF.3.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5190
- Herst. Teile-Nr.:
- STB4NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | SuperMESH-Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD97 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ SuperMESH-Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD97 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Zener-geschützter SuperMESH-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 10 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A, 3-Pin TO-252