Vishay Si7850DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.2 A 1.8 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 710-4764
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7850DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.685
Auf Lager
- 535 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.737 | CHF.13.70 |
| 50 - 120 | CHF.2.323 | CHF.11.64 |
| 125 - 245 | CHF.2.03 | CHF.10.13 |
| 250 - 495 | CHF.1.667 | CHF.8.35 |
| 500 + | CHF.1.323 | CHF.6.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-4764
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7850DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | Si7850DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie Si7850DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si7850DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.2 A 1.8 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.5 A 1.56 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Si7309DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt SI7216DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 20.8 W, 8-Pin PowerPack
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8