Vishay Doppelt SI7216DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 20.8 W, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3

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Herst. Teile-Nr.:
SI7216DN-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPack

Serie

SI7216DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-50°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

20.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

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