Vishay Doppelt SI7997DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -60 A 29 W, 8-Pin PowerPack SI7997DP-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7902
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.699 | CHF.13.48 |
| 50 - 120 | CHF.2.30 | CHF.11.48 |
| 125 - 245 | CHF.2.163 | CHF.10.79 |
| 250 - 495 | CHF.2.016 | CHF.10.09 |
| 500 + | CHF.1.89 | CHF.9.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7902
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | SI7997DP | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie SI7997DP | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 5.26 mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 46W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• PWM optimised
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Battery management
• Load switches
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