Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.2 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-9357
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-313
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2060TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-45-313
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2060TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 480mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.67nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 480mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.67nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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