onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 500 mA 300 mW, 6-Pin US

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.36

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 65 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.672CHF.3.34
50 - 95CHF.0.578CHF.2.88
100 - 495CHF.0.504CHF.2.50
500 - 995CHF.0.441CHF.2.20
1000 +CHF.0.399CHF.2.00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
739-0189
Herst. Teile-Nr.:
FDG6303N
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

770mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.64nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links