Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
752-8473
Herst. Teile-Nr.:
SPB11N60C3ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

CoolMOS C3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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