onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 7 A 5 W, 8-Pin FDS86141 SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.1.512

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1’588 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +CHF.0.756CHF.1.50

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
759-9683
Herst. Teile-Nr.:
FDS86141
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links