onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.2 A 5 W, 8-Pin FDS86140 SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9689
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86140
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.3.864
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.932 | CHF.3.86 |
| 20 - 198 | CHF.1.67 | CHF.3.34 |
| 200 - 998 | CHF.1.449 | CHF.2.89 |
| 1000 + | CHF.1.271 | CHF.2.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9689
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86140
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4mm | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,2 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,1 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3,4 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 4,5 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC