Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 787-9008
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.335
Vorübergehend ausverkauft
- 2'960 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.667 | CHF.8.34 |
| 50 - 245 | CHF.1.434 | CHF.7.17 |
| 250 - 495 | CHF.1.162 | CHF.5.83 |
| 500 - 1245 | CHF.0.97 | CHF.4.85 |
| 1250 + | CHF.0.889 | CHF.4.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9008
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -3.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 3.1 W, 8-Pin ChipFET
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 3.1 W, 8-Pin TSOP
- Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC