Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,15 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
787-9229
Herst. Teile-Nr.:
SI2328DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,15 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

1.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,45 nC @ 10 V

Länge

3.04mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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