IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

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Herst. Teile-Nr.:
IXFX64N50Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

PLUS247

Serie

HiperFET, Q3-Class

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

145nC

Maximale Verlustleistung Pd

1kW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.34mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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