IXYS Polar3 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 14 A 327 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 802-4420
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFP14N60P3
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
- 802-4420
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Serie | Polar3 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 14 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 327 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.4 V | |
| Höhe | 16 mm | |
| Länge | 10.66 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 540 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | International Standard Packages | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 25 nC | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Serie Polar3 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 14 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 327 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.4 V | ||
Höhe 16 mm | ||
Länge 10.66 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 540 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen International Standard Packages | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 25 nC | ||
Breite 4.83 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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