Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 812-3195
- Mfr. Part No.:
- SI4124DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Image representative of range
Bulk discount available
Subtotal (1 pack of 10 units)*
CHF.14.39
Nur noch Restbestände
- Letzte 2’200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.439 | CHF.14.41 |
| 50 - 90 | CHF.1.355 | CHF.13.54 |
| 100 - 240 | CHF.1.229 | CHF.12.24 |
| 250 - 490 | CHF.1.155 | CHF.11.53 |
| 500 + | CHF.1.082 | CHF.10.82 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 812-3195
- Mfr. Part No.:
- SI4124DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 1.55mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Related links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4164DY Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay 2N7002K Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 0.35 W, 3-Pin 2N7002K-T1-GE3
- Vishay Si9407BDY Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 5 W, 8-Pin SI9407BDY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin SIA449DJ-T1-GE3 US
- Vishay Si4164DY Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SI4164DY-T1-GE3
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOIC