Vishay Si7121DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9.6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 818-1380
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7121DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.061 | CHF.10.62 |
| 100 - 240 | CHF.0.848 | CHF.8.48 |
| 250 - 490 | CHF.0.657 | CHF.6.59 |
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- RS Best.-Nr.:
- 818-1380
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7121DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | Si7121DN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie Si7121DN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 3.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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