Vishay TN2404K/TN2404KL/BS107KL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 300 mA 510 mW, 3-Pin TN2404K-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 818-7647
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2404K-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.809 | CHF.16.25 |
| 200 - 480 | CHF.0.767 | CHF.15.27 |
| 500 - 980 | CHF.0.735 | CHF.14.64 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 818-7647
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2404K-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TN2404K/TN2404KL/BS107KL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 510mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.87nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TN2404K/TN2404KL/BS107KL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 510mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.87nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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