Vishay Si1012CR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 240 mW, 3-Pin SI1012CR-T1-GE3 SC-75

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*

CHF.3.16

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
20 - 180CHF.0.158CHF.3.17
200 - 480CHF.0.105CHF.2.21
500 - 980CHF.0.095CHF.1.97
1000 - 1980CHF.0.084CHF.1.72
2000 +CHF.0.084CHF.1.68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9005
Herst. Teile-Nr.:
SI1012CR-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

630mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Si1012CR

Gehäusegröße

SC-75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

240mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.3nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.86 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.68mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links