Vishay SiB406EDK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.1 A 10 W, 6-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 814-1247
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 814-1247
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SiB406EDK | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SiB406EDK | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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