Vishay Si1012CR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 240 mW, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 165-7259
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1012CR-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- SI1012CR-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 630mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | Si1012CR | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 860μm | |
| Länge | 1.68mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 630mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie Si1012CR | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 860μm | ||
Länge 1.68mm | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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