Vishay Si1416EDH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 2.8 W, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 919-4264
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1416EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4264
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1416EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | Si1416EDH | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 77mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie Si1416EDH | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 77mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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