Vishay SI1427EDH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -2 A 2.8 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 256-7340
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1427EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | SI1427EDH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.165Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie SI1427EDH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.165Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SI1427EDH von Vishay, -20 V maximale Drain-Quellenspannung, -2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI1427EDH-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und analoge Anwendungen in elektronischen Systemen vorgesehen ist. Es arbeitet als P-Kanal-Gerät mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -20 V und eignet sich für Niederspannungsdesigns, die einen kontrollierten Stromfluss und eine gate-gesteuerte Schaltleistung erfordern. Das Gerät ist für professionelle Anwendungen in der Automatisierung und in elektrischen Systemen gedacht, bei denen Platz auf der Leiterplatte und thermische Beständigkeit wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 0,165 Ω für reduzierte Leitungsverluste • Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -2 A unterstützt moderate Lastströme • Maximale Verlustleistung von 2,8 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb unter Last • Typische Gate-Ladung 7,6 nC ermöglicht effiziente Gate-Drive-Schaltung • Maximale Betriebstemperatur +150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen • RoHS-Zulassung für die Einhaltung von Grenzwerten für gefährliche Stoffe
Anwendungen
• Geeignet für Hochtemperatur-Power-Management-Schaltkreise • Ideal für das Schalten von Niederspannungslasten in Automatisierungsgeräten • Wird für den Polaritätsschutz in batteriebetriebenen Systemen verwendet • Kann für gate-gesteuerte analoge Schaltvorgänge in Steuermodulen verwendet werden • Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Designs, die P-Kanal-Geräte erfordern
Welche Befestigungsmethode verwendet es für die Leiterplattenmontage?
Er wird in einem SC-70-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und für automatisierte Pick-and-Place-Montageprozesse optimiert ist.
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für einen zuverlässigen Betrieb zulässig?
Das Gerät nimmt eine maximale Gate-Quellenspannung von 8 V auf
sollte der Gate-Antrieb innerhalb dieser Grenze bleiben, um Schäden zu vermeiden.
Wie verhält es sich unter Bedingungen mit geringer Vorwärtsbewegung?
Die angegebene Durchlassspannung beträgt -1,2 V, was den zu erwartenden Abfall während der Leitung unter vorgespannten Bedingungen anzeigt.
Was sind die Umgebungstemperaturgrenzen für die Lagerung und Verwendung?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C ausgelegt und deckt einen breiten Betriebstemperaturbereich ab.
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