Vishay SI1427EDH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -2 A 2.8 W, 6-Pin SC-70

RS Best.-Nr.:: 256-7340
Herst. Teile-Nr.:: SI1427EDH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI1427EDH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -2 A 2.8 W, 6-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:: 256-7340
Herst. Teile-Nr.:: SI1427EDH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-20V
	Serie	SI1427EDH
	Gehäusegröße	SC-70
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.165Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	7.6nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -20V
	Serie SI1427EDH
	Gehäusegröße SC-70
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.165Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET der SI1427EDH-Serie von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI1427EDH-T1-GE3

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Halbleiter, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in kompakten elektronischen Baugruppen vorgesehen ist. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und wird in einem flachen Gehäuse für platzbeschränkte Leiterplatten-Designs geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 0,165 Ω für geringere Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2 A für Schaltvorgänge mittlerer Leistung
• Die Drain-Source-Nennspannung von 20 V ermöglicht Niederspannungssysteme
• Typische Gate-Ladung von 7,6 nC für vorhersehbare Schaltleistung
• Die Durchlassspannung von -1,2 V minimiert den Spannungsabfall während der Leitung
• RoHS-konform für den Einsatz in geregelten Fertigungsumgebungen

Anwendungen

• Geeignet für Batterieschutz- und Lastschalterkreise
• Ideal für die Stromversorgung tragbarer Geräte
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in kompakten Baugruppen
• Kann zur Blockierung von Rückstrom in Stromschienen verwendet werden
• Geeignet für Niederspannungs-Motorsteuerungs-Gate-Anordnungen

Welche Packungsaspekte beeinflussen das Board-Layout?

Er wird in einem SC-70-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, das enge Pad-Anordnungen und einfaches Reflow-Löten für dichte Oberflächenmontage-Designs ermöglicht.

Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Kühlungsanforderungen aus?

Die maximale Verlustleistung beträgt 2,8 W, daher sollten die Leiterplatten-Kupferfläche und die Wärmeleitpasten so dimensioniert werden, dass sie bei Betrieb in der Nähe dieser Verlustleistung Wärme ableiten.

Welche Gate-Einschränkungen müssen von Konstrukteuren beachtet werden?

Das Gate darf 8 V in Bezug auf die Quelle nicht überschreiten, um Schäden am Gerät zu vermeiden, und die typische Gate-Ladung von 7,6 nC führt zur Treiberwahl.

Wie bewältigt das Gerät extreme Umgebungsbedingungen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz dort, wo eine hohe thermische Belastbarkeit erforderlich ist.