Vishay Si1441EDH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 2.8 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 812-3079
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF 0.545 | CHF 10.85 |
| 200 - 480 | CHF 0.414 | CHF 8.24 |
| 500 - 980 | CHF 0.384 | CHF 7.60 |
| 1000 - 1980 | CHF 0.323 | CHF 6.55 |
| 2000 + | CHF 0.283 | CHF 5.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-3079
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | Si1441EDH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie Si1441EDH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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