Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 826-8841
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7303TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.10.50
Auf Lager
- 80 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'100 Einheit(en) mit Versand ab 03. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.525 | CHF 10.40 |
| 100 - 180 | CHF 0.414 | CHF 8.32 |
| 200 - 480 | CHF 0.384 | CHF 7.70 |
| 500 - 980 | CHF 0.364 | CHF 7.17 |
| 1000 + | CHF 0.333 | CHF 6.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-8841
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7303TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,9A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7303TRPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 4,9 A und einer Drain-Source-Spannung von 30 V bietet er eine hohe Leistung in unterschiedlichen Umgebungen. Durch seine Oberflächenmontage eignet er sich für kompakte Schaltungsdesigns, bei denen Platzersparnis und thermische Leistung wichtig sind. Dieses Gerät beweist Zuverlässigkeit und Effizienz in der Automatisierung und Elektronik.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte Effizienz mit einem niedrigen Rds(on) von 80 mΩ
• Hohe Verlustleistung mit einem Maximum von 2 W
• Zweikanalige Integration für mehr Funktionalität in Designs
• Robuster thermischer Betrieb bis zu +150°C für vielseitige Anwendungen
• Optimiert für den Betrieb im Anreicherungsmodus zur Verbesserung des Energiemanagements
• Kompaktes SOIC-Gehäuse erleichtert die Integration in moderne PCBs
Anwendungsbereich
• Wird in Stromversorgungsschaltungen zur Spannungsregelung verwendet
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für effizienten Betrieb
• Geeignet für Beleuchtung die ein robustes Schalten erfordern
• Integriert in Unterhaltungselektronik für verbesserte Energieeffizienz
• Ideal für Kfz-Systeme, die eine zuverlässige Leistung erfordern
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung für dieses Bauelement?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuerschaltungen gewährleistet.
Wie wirkt sich der Rds(on)-Wert auf die Effizienz aus?
Ein niedrigerer Rds(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz der Anwendungen.
Kann es bei extremen Temperaturen arbeiten?
Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C, der für raue Umgebungen geeignet ist.
Mit welcher Art von Leiterplatten ist dies kompatibel?
Es ist für Leiterplatten mit Oberflächenmontagetechnik (SMT) konzipiert und ermöglicht eine effiziente Raumnutzung.
Wie sollte man bei der Installation dieser Komponente vorgehen?
Es ist darauf zu achten, dass geeignete Löttechniken verwendet werden, um Hitzeschäden zu vermeiden und einen sicheren Sitz auf der Leiterplatte zu gewährleisten.
Verwandte Links
- Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOIC