Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 827-0027
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0027
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 540mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 825mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 540mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 825mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 55 V Drain-Source-Spannung, 540 mA kontinuierlicher Drain-Strom – BSS670S2LH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein Kleinsignal-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine kontrollierte Schaltung im Enhancement-Modus mit moderaten Nennspannungen und Nennströmen erfordern, und ist für Automobilumgebungen qualifiziert.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Toleranz von 55 V ermöglicht Schaltkreise mit höherer Spannung
• Niedriger RDS(on) von 825 mΩ minimiert Leitungsverluste in Schwachstrompfaden
• 540 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 1,7 nC ermöglicht effizientes Hochgeschwindigkeits-Schalten
• 360 mW Verlustleistung für bescheidene thermische Budgets
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich
• Niedriger RDS(on) von 825 mΩ minimiert Leitungsverluste in Schwachstrompfaden
• 540 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 1,7 nC ermöglicht effizientes Hochgeschwindigkeits-Schalten
• 360 mW Verlustleistung für bescheidene thermische Budgets
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Sensorschnittstellen in Kraftfahrzeugen
• Ideal für das Schalten von Gleichstromlasten in kompakten Modulen
• Wird mit Hilfsschaltkreisen für das Batteriemanagement verwendet
• Kann für Gate-Treiber in Niederspannungswandlern verwendet werden
• Wird zum Schalten von Signalpegeln auf Mixed-Signal-Platten verwendet
• Ideal für das Schalten von Gleichstromlasten in kompakten Modulen
• Wird mit Hilfsschaltkreisen für das Batteriemanagement verwendet
• Kann für Gate-Treiber in Niederspannungswandlern verwendet werden
• Wird zum Schalten von Signalpegeln auf Mixed-Signal-Platten verwendet
Welche Befestigungsaspekte gelten für kleine Gehäuse?
Das Gerät wird in einem dreipoligen SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, sodass die Wärmeentlastung und die Lötfilets so geplant werden sollten, dass die Verlustleistung von 360 mW bewältigt wird.
Wie wirkt sich der Gate-Antrieb auf die Schaltleistung aus?
Die Ansteuerung des Gates auf bis zu 20 V erhöht die Leitungsspanne, während die Gate-Ladung von 1,7 nC den erforderlichen Treiberstrom für die gewünschten Anstiegs-/Abfallzeiten bestimmt.
Wie verhält sich das Gerät unter Dauerbelastung?
Er kann bis zu 540 mA kontinuierlich übertragen, sofern thermische Einschränkungen eingehalten werden und die Umgebungsbedingungen eine ausreichende Wärmeübertragung ermöglichen.
Ist diese Komponente für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?
Er erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101 und eignet sich daher für Anwendungen in der Automobilelektronik, die diesen Standard erfordern.
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