Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-6179
- Herst. Teile-Nr.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.9.14
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 130 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.914 | CHF.9.13 |
| 100 - 190 | CHF.0.756 | CHF.7.54 |
| 200 - 360 | CHF.0.672 | CHF.6.67 |
| 370 - 740 | CHF.0.651 | CHF.6.47 |
| 750 + | CHF.0.63 | CHF.6.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-6179
- Herst. Teile-Nr.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TK | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15mm | |
| Breite | 4.5 mm | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TK | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15mm | ||
Breite 4.5 mm | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TK30A06N1,S4X(S TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TK58A06N1,S4X(S TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TK32A12N1,S4X(S TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TK100A06N1,S4X(S TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220