IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD
- RS Best.-Nr.:
- 875-2500
- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1T550N055T2
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1T550N055T2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 550A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Gehäusegröße | SMPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 595nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 23.25 mm | |
| Länge | 25.25mm | |
| Höhe | 5.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 550A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Gehäusegröße SMPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 24 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 595nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 23.25 mm | ||
Länge 25.25mm | ||
Höhe 5.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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