Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
900-9964
Herst. Teile-Nr.:
CSD19534KCS
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

NexFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

118 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17,1 nC @ 0 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Höhe

16.51mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments



MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

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