Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 903-4504
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHB28N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.6.468 | CHF.12.94 |
| 20 - 48 | CHF.6.08 | CHF.12.16 |
| 50 - 98 | CHF.5.817 | CHF.11.65 |
| 100 - 198 | CHF.5.177 | CHF.10.35 |
| 200 + | CHF.4.851 | CHF.9.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4504
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHB28N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 123mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 123mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor
Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom
Niedriger Gütefaktor (FOM)
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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