Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin SiHB28N60EF-GE3 TO-263

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903-4504
Herst. Teile-Nr.:
SiHB28N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

123mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor


Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom

Niedriger Gütefaktor (FOM)

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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