Vishay IRF9540 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-0039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.63.55
Auf Lager
- 1’400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.271 | CHF.63.53 |
| 100 - 200 | CHF.1.082 | CHF.53.97 |
| 250 + | CHF.1.019 | CHF.50.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-0039
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9540PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF9540 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF9540 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 5 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay TrenchFET P-Kanal, THT MOSFET 80 V / 150 A, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
- onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220AB